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电子元器件详细资料 » IC[12827] » BU808DFI
型号:BU808DFI类别:晶体管(BJT) - 单路制造商:STMicroelectronics
封装:ISOWATT-218-3描述:IC TRANSISTR DARL NPN ISOWATT218

详细参数

类别晶体管(BJT) - 单路
描述IC TRANSISTR DARL NPN ISOWATT218
系列-
制造商STMicroelectronics
晶体管类型NPN - 达林顿
电流_集电极(Ic)111最大2228A
电压_集电极发射极击穿111最大222700V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大2221.6V @ 500mA,5A
电流_集电极截止111最大222400µA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益(hFE)60 @ 5A,5V
功率_最大52W
频率_转换-
安装类型通孔
封装/外壳ISOWATT-218-3
供应商设备封装ISOWATT-218
包装管件

供应商

深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
深圳市芯柏然科技有限公司欧阳0755-82533534
深圳市华雄半导体(集团)有限公司王0512-67241533
上海意淼电子科技有限公司吴13681678667
深圳市俊晖半导体有限公司李先生【原装正品,可开发票】13410941925
深圳市晶美隆科技有限公司李林0755- 82519391 0755-83209630
深圳市鹏顺兴科技有限公司谭小姐0755-23063133/83238712
深圳信泰电子器材有限公司廖先生0755-83242658
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